Зображення обкладинки

Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon

Low-frequency internal friction and dynamic shear modulus (Geff) in Si monocrystal were investigated in the range of 20 to 200 ºC. Temperature hysteresis of internal friction was found and effective shear modulus was studied in the unirradiated and a series of irradiated silicon samples. The appeara...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2005
Автори:	Gutsulyak, B.I., Oliynych-Lysyuk, A.V., Fodchuk, I.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120967
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon / B.I. Gutsulyak, A.V. Oliynych-Lysyuk, I.M. Fodchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 25-29. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010)

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2001)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)

Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices
за авторством: Trubitsyn, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2000)

The Influence of Plastic Deformation on the Defect-Impurity State and Magnetic Properties of Silicon (Cz-Si)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Diffusion of chromium and impurity absorption in ZnS crystals
за авторством: Nitsuk, Yu.A.
Опубліковано: (2013)

Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
за авторством: R. G. Ikramov, та інші
Опубліковано: (2019)

Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
за авторством: R. G. Ikramov, та інші
Опубліковано: (2019)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Interlevel absorption of electromagnetic waves by nanocrystal with divalent impurity
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2014)

The effect of shallow impurities on the light absorption by the nanocrystals CdS
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2018)

The effect of shallow impurities on the light absorption by the nanocrystals CdS
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2018)

Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals
за авторством: Paiuk, A.P., та інші
Опубліковано: (2012)

Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: A. L. Nikytenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Luminescent and radiation characteristics of monocrystalline diamond powders
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: Nikytenko, A.L., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Zn and Mn impurity effect on electron and luminescent properties of porous silicon
за авторством: Primachenko, V.E, та інші
Опубліковано: (2005)

Influence of impurities on the absorption spectrum of thin Cs₄PbI₆ films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2014)

Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Local properties of impurity and defects investigated by high pressure spectroscopy
за авторством: Grinberg, Marek
Опубліковано: (2007)

AFM Study of Surface of the Metallic Condensates on the Monocrystalline Silicon and Energy Parameters of Interface Interactions in the ‘Metallic Condensate—Semiconductor&#039; System
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermoelectric property features of PbTe monocrystalline and polycrystalline films
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Polished surface roughness of optoelectronic components made of monocrystalline materials
за авторством: Ju. Filatov, та інші
Опубліковано: (2016)

Elastic interaction energy of point defects with a basal dislocation loop in zirconium
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2020)

Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transition metals
за авторством: A. P. Paiuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Monopolar photoconductivity of the inversion layer and &quot;slow&quot;-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2018)

Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon
за авторством: S. G. Egorov, та інші
Опубліковано: (2009)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)