Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures - Dugaev, V.K.; Mironov, O.A.; Kosyachenko, S.V. (Condensed Matter Physics, 2000)
We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe
multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped
Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some
recent experiments on these structures. Представлені результати розрахунків п’єзоелектричного ефекту в
Si/SiGe багатошаровій структурі з вузькою квантовою ямою і товстим
шаром легованого напівпровідного кремнію Si. Запропонована теорія є можливим поясненням деяких недавніх екпериментів на цих
структурах.