Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
Electronic band structure of the diluted magnetic semiconductor Cd₁₋x Mn x Te [100] ideal surface is calculated by the semiempirical tight- binding method in the framework of sps*-model. Surface bands, emerging above the bulk band structure, as well as their type, energy position and...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | Melnichuk, S.V., Mikhailevsky, Y.M., Rarenko, I.M., Yurijchuk, I.M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120985 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor / S.V. Melnichuk, Y.M. Mikhailevsky, I.M. Rarenko, I.M. Yurijchuk // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 799-806. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
Characterization of CdTe+Mn crystals depending on doping procedure
за авторством: Nikoniuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Nikoniuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2003)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Energy band gap and electrical conductivity of Cd1-xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Magnetic properties of diluted magnetic semiconductors Pb1–yFeyTe
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2017)
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)
Ferromagnetic ordering in diluted magnetic semiconductors
за авторством: Slobodskyy, A.H., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Slobodskyy, A.H., та інші
Опубліковано: (2002)
Energy spectrum of transition metal impurity in a semiconductor with an ideal surface
за авторством: Melnychuk, S.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Melnychuk, S.V., та інші
Опубліковано: (1999)
CdZnTe sensors for X-ray measurements
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Electronic Structure and X-Ray Magnetic Circular Dichroism in (Zn, T)O (T = V, Fe, Co) Diluted Magnetic Semiconductors
за авторством: Bekenov, L.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Bekenov, L.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electronic Structure and X-Ray Magnetic Circular Dichroism in (Zn, T)O (T = V, Fe, Co) Diluted Magnetic Semiconductors
за авторством: L. V. Bekenov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. V. Bekenov, та інші
Опубліковано: (2013)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Ferromagnetic transition in diluted magnetic semiconductors
за авторством: Dietl, T.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Dietl, T.
Опубліковано: (1999)
Peculiarities of concentration dependences of thermal conductivity in (PbTe)1-x (Bi2Te3)x semiconductor solid solutions
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)
Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and P-T-X equilibria in Cd-Hg-Te system: 2. Phase equilibria in initial two-component systems. Cd-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2003)
Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
Magnetoresistance of electrons in diluted magnetic semiconductor Volcano ring
за авторством: A. M. Babanlı
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. M. Babanlı
Опубліковано: (2019)
Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Mazur, Yu.I.
Опубліковано: (1998)
The magnetic domain structure properties in diluted magnetic semiconductors
за авторством: V. A. Stephanovich, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. A. Stephanovich, та інші
Опубліковано: (2020)
The magnetic domain structure properties in diluted magnetic semiconductors
за авторством: V. A. Stephanovich, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. A. Stephanovich, та інші
Опубліковано: (2020)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Схожі ресурси
-
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004) -
Characterization of CdTe+Mn crystals depending on doping procedure
за авторством: Nikoniuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2003) -
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006) -
Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)