Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor
Electronic band structure of the diluted magnetic semiconductor Cd₁₋x Mn x Te [100] ideal surface is calculated by the semiempirical tight- binding method in the framework of sps*-model. Surface bands, emerging above the bulk band structure, as well as their type, energy position and...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автори: | Melnichuk, S.V., Mikhailevsky, Y.M., Rarenko, I.M., Yurijchuk, I.M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120985 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Band structure of [100] surface of Cd₁₋x Mn x Te diluted magnetic semiconductor / S.V. Melnichuk, Y.M. Mikhailevsky, I.M. Rarenko, I.M. Yurijchuk // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 799-806. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004) -
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006) -
Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014) -
Energy band gap and electrical conductivity of Cd1-xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: L. A. Kosyachenko, та інші
Опубліковано: (2011)