p, T, E-diagram of Sn₂P₂S₆ ferroelectric with high-pressure incommensurate phase
The investigations on the temperature change in dielectric permeability of Sn₂P₂S₆ crystal at different misaligning electric fields and hydrostatic pressures have been carried out to establish the form of p, T, E-diagram for this crystal. Based on the investigations on dielectric permeability anoma...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120986 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | p, T, E-diagram of Sn₂P₂S₆ ferroelectric with high-pressure incommensurate phase / V.M. Kedyulich, A.G. Slivka, E.I. Gerzanich, V.S. Shusta // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 851-856. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | The investigations on the temperature change in dielectric permeability of
Sn₂P₂S₆ crystal at different misaligning electric fields and hydrostatic pressures have been carried out to establish the form of p, T, E-diagram for
this crystal. Based on the investigations on dielectric permeability anomalies, the E, T -diagrams at different magnitudes of hydrostatic pressure and
p, T, E-diagram of Sn₂P₂S₆ crystal have been constructed. The magnitudes of coefficients in the thermodynamic potential expansion have been
estimated and coordinates of critical points in E, T -diagrams have been
defined.
Проведено дослідження температурної зміни діелектричної проникності кристала Sn₂P₂S₆ при різних зміщуючих електричних полях та
гідростатичних тисках з метою встановлення виду p, T, E-діаграми
цього кристала. На основі досліджень аномалій діелектричної проникності побудовано E, T -діаграми при різних величинах гідростатичного тиску та p, T, E-діаграму кристала Sn₂P₂S₆. Проведено оцінку величин коефіцієнтів у розкладі термодинамічного потенціалу та
визначено координати критичних точок на E, T -діаграмах.
|
|---|---|
| ISSN: | 1607-324X |