Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
In the work it was shown that the In₄Se₃ crystal is similar by its dynamical properties to the InSe modulated crystal. The transformation of the D⁴₆h symmetry group of β-InSe crystal to D⁹₂h group of the In₄Se₃ structure and the D¹²₂h group of In₄Se₃ structure has been investigated. In spite of...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120992 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals / D.M. Bercha, K.Z. Rushchanskii, L.Yu. Kharkhalis, M. Sznajder // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 749-757. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | In the work it was shown that the In₄Se₃ crystal is similar by its dynamical
properties to the InSe modulated crystal. The transformation of the D⁴₆h symmetry group of β-InSe crystal to D⁹₂h group of the In₄Se₃ structure
and the D¹²₂h group of In₄Se₃ structure has been investigated. In spite of
structure corrugation of In₄Se₃ layer, it is shown that the region of the weak
bond in this crystal by the dynamical characteristics is similar to the weak
bond region in InSe crystal.
У роботі показано, що кристал In₄Se₃ за своїми динамічними властивостями близький до модульованого кристалу InSe. Досліджено перетворення групи симетрії D⁴₆h кристалу β-InSe до групи D⁹₂h структури In₄Se₄ і до групи D¹²₂h In₄Se₃. Показано, що незважаючи на гофрованість структури шару In₄Se₃, область слабкого зв’язку у ньому за
динамічними властивостями є подібною до області слабкого зв’язку
у кристалі InSe.
|
|---|---|
| ISSN: | 1607-324X |