Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type
The energy spectra of charge carriers in several models of the ordered solid solutions and virtual crystal model based on the ferroelectrics of Sn₂P₂S₆ type are calculated by the semiempirical pseudopotential method. It is shown that the band gap depends on the employed model of the solid...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | Mitin, O.B., Kharkhalis, L.Yu., Mikajlo, O.A., Melnichenko, T.N., Dorogany, V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120995 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Simulation of energy states in solid solutions based on the ferroelectrics- semiconductors of Sn₂P₂S₆ type / O.B. Mitin, L.Yu. Kharkhalis, O.A. Mikajlo, T.N. Melnichenko, V. Dorogany // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 777-786. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Valence fluctuations in Sn(Pb)₂P₂S₆ ferroelectrics
за авторством: Yevych, R., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yevych, R., та інші
Опубліковано: (2016)
The influence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆
за авторством: Vysochanskii, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Vysochanskii, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Phase transitions in Sn₂P₂S₆ ferroelectric under high pressures
за авторством: Slivka, A.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Slivka, A.G., та інші
Опубліковано: (1999)
p, T, E-diagram of Sn₂P₂S₆ ferroelectric with high-pressure incommensurate phase
за авторством: Kedyulich, V.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kedyulich, V.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Dipole models of proper ferroelectrics NaNO₂ and Sn(Pb)₂P₂S(Se)₆
за авторством: Drobnich, A., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Drobnich, A., та інші
Опубліковано: (1998)
The phase transitions character and microscopic models for Sn₂P₂S(Se)₆ ferroelectrics
за авторством: Vysochanskii, Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vysochanskii, Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
Lattice dynamics and phase transitions in Sn₂P₂S(Se)₆ ferroelectric crystals
за авторством: Yevych, R.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yevych, R.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Valence fluctuations in Sn(Pb)2P2S6 ferroelectrics
за авторством: R. Yevych, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: R. Yevych, та інші
Опубліковано: (2016)
Pyroelectric response of inhomogeneous ferroelectric-semiconductor films
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2007)
On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃
за авторством: Borovoy, N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Borovoy, N., та інші
Опубліковано: (2013)
Partial polarization switching in ferroelectrics-semiconductors with charged defects
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2004)
Formation and properties of intercalatal nanostructures of an inorganic semiconductor/ferroelectric liquid crystal
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. M. Bishchaniuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Image infrared converters based on ferroelectric- semiconductor thin-layer systems
за авторством: Sosnin, A.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sosnin, A.
Опубліковано: (2000)
On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag3AsS3
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)
Thermodynamic and dynamic dielectric properties of one-dimensional hydrogen bonded ferroelectric of PbHPO₄-type
за авторством: Zachek, I.R., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Zachek, I.R., та інші
Опубліковано: (2014)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Modelling of micro- and nanodomain arrays recorded in ferroelectrics-semiconductors by using atomic force microscopy
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2006)
Solid solutions with coexisting ferroelectric and antiferroelectric phases for creation of new materials
за авторством: V. M. Ishchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. M. Ishchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Diffusion phase transitions in (PbySn₁−y)₂P₂(SexS₁−x)₆ solid solutions
за авторством: Maior, M.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Maior, M.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Statistical theory of thermodynamic and dynamic properties of the RbHSO₄ ferroelectrics
за авторством: Zachek, I.R., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Zachek, I.R., та інші
Опубліковано: (2015)
Dynamic properties of NH₃CH₂COOH·H₂PO₃ ferroelectric
за авторством: Zachek, I.R., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zachek, I.R., та інші
Опубліковано: (2018)
Ferroelectricity in doped manganites
за авторством: Dunaevsky, S.M.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Dunaevsky, S.M.
Опубліковано: (2010)
The refractometry of the uniaxially stressed ferroelectrics
за авторством: Romanyuk, M.O., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Romanyuk, M.O., та інші
Опубліковано: (1999)
Polar properties and hysteresis loops in multilayered thin films ferroelectric/virtual ferroelectric
за авторством: E. A. Eliseev, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. A. Eliseev, та інші
Опубліковано: (2012)
Polar properties and hysteresis loops in multilayered thin films ferroelectric/virtual ferroelectric
за авторством: Ye. A. Yelisieiev, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ye. A. Yelisieiev, та інші
Опубліковано: (2012)
Ferroelectric and dielectric characterization studies on relaxor- and ferroelectric-like strontium-barium niobates
за авторством: Matyjasek, K., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Matyjasek, K., та інші
Опубліковано: (2013)
Parameter optimization of thermoelectric material based on n-ZrNiSn intermetallic semiconductor
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2013)
Thermodynamics and dynamical properties of the KH₂PO₄ type ferroelectric compounds. A unified model
за авторством: Levitskii, R.R., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Levitskii, R.R., та інші
Опубліковано: (2009)
Energy states in superlattices connected with incommensurate phase presence
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Electronic structure of PbSnS₃ and PbGeS₃ semiconductor compounds with the mixed cation coordination
за авторством: Bletskan, M.M., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bletskan, M.M., та інші
Опубліковано: (2015)
Dielectric relaxation and freezing effect in Sn₂P₂S₆
за авторством: Maior, M.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Maior, M.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Computer simulation of vanadium dioxide semiconductor phase formation in supersaturated solutions
за авторством: Chernenko, I.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Chernenko, I.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Description of Kinetics of Cellular Decomposition of Supersaturated Solid Solutions for Pb—Sn Alloy
за авторством: M. A. Ivanov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. A. Ivanov, та інші
Опубліковано: (2014)
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Computer simulation of vanadium dioxide semiconductor phase formation in supersaturated solutions
за авторством: I. M. Chernenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: I. M. Chernenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of σ₁ − σ₂ stress on phase transition and physical properties of KD₂PO₄-type ferroelectrics
за авторством: Stasyuk, I.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Stasyuk, I.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direct conductance
за авторством: Naidyuk, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Naidyuk, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2000)
Simulation of nanoparticle deposition from plasmas on solid surface
за авторством: Bondar, M.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bondar, M.A., та інші
Опубліковано: (2018)
X-ray photoelectron spectroscopy of Sn₂P₂S₆ crystals
за авторством: Grigas, J., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Grigas, J., та інші
Опубліковано: (2008)
Simulation of induction machines with common solid rotor
за авторством: M. Zablodskiy, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Zablodskiy, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Valence fluctuations in Sn(Pb)₂P₂S₆ ferroelectrics
за авторством: Yevych, R., та інші
Опубліковано: (2016) -
The influence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆
за авторством: Vysochanskii, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999) -
Phase transitions in Sn₂P₂S₆ ferroelectric under high pressures
за авторством: Slivka, A.G., та інші
Опубліковано: (1999) -
p, T, E-diagram of Sn₂P₂S₆ ferroelectric with high-pressure incommensurate phase
за авторством: Kedyulich, V.M., та інші
Опубліковано: (2000) -
Dipole models of proper ferroelectrics NaNO₂ and Sn(Pb)₂P₂S(Se)₆
за авторством: Drobnich, A., та інші
Опубліковано: (1998)