Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal

Dielectric permittivity studies of reduced samples of NaNbO₃ single crystal in the range of temperatures 30–500 °C and frequency 20 Hz-1 MHz are reported. In this temperature range a relaxation process is observed in the frequency range of about 100 kHz. This is an additional process to the earlier...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Condensed Matter Physics
Date:1999
Main Author: Konieczny, K.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121010
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal / K. Konieczny // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 655-660. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862556600183554048
author Konieczny, K.
author_facet Konieczny, K.
citation_txt Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal / K. Konieczny // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 655-660. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Condensed Matter Physics
description Dielectric permittivity studies of reduced samples of NaNbO₃ single crystal in the range of temperatures 30–500 °C and frequency 20 Hz-1 MHz are reported. In this temperature range a relaxation process is observed in the frequency range of about 100 kHz. This is an additional process to the earlier reported one [7]. The obtained data were fitted to Cole-Cole formula. The dispersion step ∆ǫ (the maximum value of ∆ǫ =1000) is temperature dependent. The mean relaxation time τ does not obey the Arrhenius law above TC. The occurrence of this relaxation process may be connected with oxygen vacancies. Досліджено діелектричну сприйнятливість зразків монокристалу
 NaNbO₃ в діапазонах температур 30–500 °C і частот 20 Гц–1 МГц. У
 цьому температурному проміжку в частотній області поблизу 100 кГц
 спостерігається релаксаційний процес, що є доповнювальним до виявленого раніше процесу [7]. Отримані дані апроксимуються за формулою Коул-Коула. Значення дисперсії ∆ε (максимальне значення
 ∆ε = 1000) залежить від температури. Закон Арреніуса не виконується для середнього часу релаксації τ вище TC. Поява цього релаксаційного процесу може пов’язуватися з кисневими вакансіями.
first_indexed 2025-11-25T22:33:24Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-121010
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1607-324X
language English
last_indexed 2025-11-25T22:33:24Z
publishDate 1999
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
record_format dspace
spelling Konieczny, K.
2017-06-13T12:38:44Z
2017-06-13T12:38:44Z
1999
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal / K. Konieczny // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 655-660. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1607-324X
DOI:10.5488/CMP.2.4.655
PACS: 77.22.Ch, 77.22.Gm
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121010
Dielectric permittivity studies of reduced samples of NaNbO₃ single crystal in the range of temperatures 30–500 °C and frequency 20 Hz-1 MHz are reported. In this temperature range a relaxation process is observed in the frequency range of about 100 kHz. This is an additional process to the earlier reported one [7]. The obtained data were fitted to Cole-Cole formula. The dispersion step ∆ǫ (the maximum value of ∆ǫ =1000) is temperature dependent. The mean relaxation time τ does not obey the Arrhenius law above TC. The occurrence of this relaxation process may be connected with oxygen vacancies.
Досліджено діелектричну сприйнятливість зразків монокристалу
 NaNbO₃ в діапазонах температур 30–500 °C і частот 20 Гц–1 МГц. У
 цьому температурному проміжку в частотній області поблизу 100 кГц
 спостерігається релаксаційний процес, що є доповнювальним до виявленого раніше процесу [7]. Отримані дані апроксимуються за формулою Коул-Коула. Значення дисперсії ∆ε (максимальне значення
 ∆ε = 1000) залежить від температури. Закон Арреніуса не виконується для середнього часу релаксації τ вище TC. Поява цього релаксаційного процесу може пов’язуватися з кисневими вакансіями.
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
Діелектрична релаксація в монокристалі NaNbO₃
Article
published earlier
spellingShingle Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
Konieczny, K.
title Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
title_alt Діелектрична релаксація в монокристалі NaNbO₃
title_full Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
title_fullStr Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
title_full_unstemmed Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
title_short Dielectric relaxation in NaNbO₃ single crystal
title_sort dielectric relaxation in nanbo₃ single crystal
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121010
work_keys_str_mv AT koniecznyk dielectricrelaxationinnanbo3singlecrystal
AT koniecznyk díelektričnarelaksacíâvmonokristalínanbo3