Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
Within the band model we study the electron redistribution around the dislocation wall depending on the conduction band filling ( 0 < n < 1 ) taking into account the electron-deformation coupling. We show that as the
 conduction band filling n increases, the redistribution gets m...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2000
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121045 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall / R.M. Peleschak // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 1(21). — С. 169-174. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862576090363461632 |
|---|---|
| author | Peleschak, R.M. |
| author_facet | Peleschak, R.M. |
| citation_txt | Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall / R.M. Peleschak // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 1(21). — С. 169-174. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | Within the band model we study the electron redistribution around the dislocation wall depending on the conduction band filling ( 0 < n < 1 ) taking into account the electron-deformation coupling. We show that as the
conduction band filling n increases, the redistribution gets more localized
around the dislocation plane. It is established that an increase of the distance between the neighbouring dislocations raises the period of changes
in charge density redistribution ∆n along the dislocation wall, whereas a
change in the amplitude of the electron redistribution as a function of the
distance to the dislocation plane is smoother.
У рамках зонної моделі з врахуванням електрон-деформаційного
зв’язку досліджено електронний перерозподіл в околі стінки дислокацій в залежності від ступеня заповнення ( 0 < n < 1 ) зон провідності. Показано, що зі збільшенням ступеня заповнення зони провідності n перерозподіл має більш локалізований в околі площини дислокацій характер. Встановлено, що збільшення відстані між сусідніми дислокаціями приводить до збільшення періоду зміни перерозподілу електронної густини ∆n вздовж розміщення стінки дислокацій, а зміна амплітуди електронного перерозподілу як функції відстані до площини дислокацій має при цьому більш плавний характер.
|
| first_indexed | 2025-11-26T14:24:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-121045 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-26T14:24:31Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Peleschak, R.M. 2017-06-13T13:25:46Z 2017-06-13T13:25:46Z 2000 Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall / R.M. Peleschak // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 1(21). — С. 169-174. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. 1607-324X DOI:10.5488/CMP.3.1.169 PACS: 61.72.Lk, 68.35.-p, 68.55.Ln https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121045 Within the band model we study the electron redistribution around the dislocation wall depending on the conduction band filling ( 0 < n < 1 ) taking into account the electron-deformation coupling. We show that as the
 conduction band filling n increases, the redistribution gets more localized
 around the dislocation plane. It is established that an increase of the distance between the neighbouring dislocations raises the period of changes
 in charge density redistribution ∆n along the dislocation wall, whereas a
 change in the amplitude of the electron redistribution as a function of the
 distance to the dislocation plane is smoother. У рамках зонної моделі з врахуванням електрон-деформаційного
 зв’язку досліджено електронний перерозподіл в околі стінки дислокацій в залежності від ступеня заповнення ( 0 < n < 1 ) зон провідності. Показано, що зі збільшенням ступеня заповнення зони провідності n перерозподіл має більш локалізований в околі площини дислокацій характер. Встановлено, що збільшення відстані між сусідніми дислокаціями приводить до збільшення періоду зміни перерозподілу електронної густини ∆n вздовж розміщення стінки дислокацій, а зміна амплітуди електронного перерозподілу як функції відстані до площини дислокацій має при цьому більш плавний характер. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall Заповнення електронних станів і деформація гратки в околі стінки крайових дислокацій Article published earlier |
| spellingShingle | Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall Peleschak, R.M. |
| title | Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_alt | Заповнення електронних станів і деформація гратки в околі стінки крайових дислокацій |
| title_full | Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_fullStr | Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_full_unstemmed | Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_short | Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| title_sort | filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121045 |
| work_keys_str_mv | AT peleschakrm fillingofelectronicstatesandcrystallatticedeformationarounddislocationwall AT peleschakrm zapovnennâelektronnihstanívídeformacíâgratkivokolístínkikraiovihdislokacíi |