Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall

Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall

Within the band model we study the electron redistribution around the dislocation wall depending on the conduction band filling ( 0 < n < 1 ) taking into account the electron-deformation coupling. We show that as the conduction band filling n increases, the redistribution gets more localized a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Condensed Matter Physics
Datum:2000
1. Verfasser: Peleschak, R.M.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2000
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121045
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall / R.M. Peleschak // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 1(21). — С. 169-174. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-121045
record_format dspace
spelling Peleschak, R.M.
2017-06-13T13:25:46Z
2017-06-13T13:25:46Z
2000
Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall / R.M. Peleschak // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 1(21). — С. 169-174. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
1607-324X
DOI:10.5488/CMP.3.1.169
PACS: 61.72.Lk, 68.35.-p, 68.55.Ln
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121045
Within the band model we study the electron redistribution around the dislocation wall depending on the conduction band filling ( 0 < n < 1 ) taking into account the electron-deformation coupling. We show that as the conduction band filling n increases, the redistribution gets more localized around the dislocation plane. It is established that an increase of the distance between the neighbouring dislocations raises the period of changes in charge density redistribution ∆n along the dislocation wall, whereas a change in the amplitude of the electron redistribution as a function of the distance to the dislocation plane is smoother.
У рамках зонної моделі з врахуванням електрон-деформаційного зв’язку досліджено електронний перерозподіл в околі стінки дислокацій в залежності від ступеня заповнення ( 0 < n < 1 ) зон провідності. Показано, що зі збільшенням ступеня заповнення зони провідності n перерозподіл має більш локалізований в околі площини дислокацій характер. Встановлено, що збільшення відстані між сусідніми дислокаціями приводить до збільшення періоду зміни перерозподілу електронної густини ∆n вздовж розміщення стінки дислокацій, а зміна амплітуди електронного перерозподілу як функції відстані до площини дислокацій має при цьому більш плавний характер.
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
Заповнення електронних станів і деформація гратки в околі стінки крайових дислокацій
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
spellingShingle Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
Peleschak, R.M.
title_short Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
title_full Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
title_fullStr Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
title_full_unstemmed Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
title_sort filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall
author Peleschak, R.M.
author_facet Peleschak, R.M.
publishDate 2000
language English
container_title Condensed Matter Physics
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
format Article
title_alt Заповнення електронних станів і деформація гратки в околі стінки крайових дислокацій
description Within the band model we study the electron redistribution around the dislocation wall depending on the conduction band filling ( 0 < n < 1 ) taking into account the electron-deformation coupling. We show that as the conduction band filling n increases, the redistribution gets more localized around the dislocation plane. It is established that an increase of the distance between the neighbouring dislocations raises the period of changes in charge density redistribution ∆n along the dislocation wall, whereas a change in the amplitude of the electron redistribution as a function of the distance to the dislocation plane is smoother. У рамках зонної моделі з врахуванням електрон-деформаційного зв’язку досліджено електронний перерозподіл в околі стінки дислокацій в залежності від ступеня заповнення ( 0 < n < 1 ) зон провідності. Показано, що зі збільшенням ступеня заповнення зони провідності n перерозподіл має більш локалізований в околі площини дислокацій характер. Встановлено, що збільшення відстані між сусідніми дислокаціями приводить до збільшення періоду зміни перерозподілу електронної густини ∆n вздовж розміщення стінки дислокацій, а зміна амплітуди електронного перерозподілу як функції відстані до площини дислокацій має при цьому більш плавний характер.
issn 1607-324X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121045
fulltext
citation_txt Filling of electronic states and crystal lattice deformation around dislocation wall / R.M. Peleschak // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 1(21). — С. 169-174. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT peleschakrm fillingofelectronicstatesandcrystallatticedeformationarounddislocationwall
AT peleschakrm zapovnennâelektronnihstanívídeformacíâgratkivokolístínkikraiovihdislokacíi
first_indexed 2025-11-26T14:24:31Z
last_indexed 2025-11-26T14:24:31Z
_version_ 1850624553080848384

Ähnliche Einträge