Small-grained detector of ionizing radiation based on ZnSe(Te)
A highly efficient ZnSe(Te) scintillation detector combined with Si-photodiode has been developed. A conglomerate made up of ZnSe(Te) grains is used as a scintillator. Optimal shape of the grains, reflecting cover and disperse environment type are selected to improve light collection within the dete...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| ISSN: | 1560-8034 |
| Автори: | Volkov, V.G., Gavrilyuk, V.P., Galchinetskii, L.P., Grinyov, B.V., Katrunov, K.A., Ryzhikov, V.D. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121080 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Small-grained detector of ionizing radiation based on ZnSe(Te) / V.G. Volkov, V.P. Gavrilyuk, L.P. Galchinetskii, B.V. Grinyov, K.A. Katrunov, V.D. Ryzhikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 191-194. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Integrated detectors of ionizing radiation based on ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe structures
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008)
Interaction of nuclear radiations with scintillation crystals ZnSe(O, Te)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Sensitivity studies of beta-radiation detector based on small-crystalline scintillator ZnSe(Te)
за авторством: Gavrylyuk, V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Gavrylyuk, V., та інші
Опубліковано: (2001)
Effect of heat treatment in Zn vapor on spectral kinetic, optical and mechanical properties of ZnSe(O,Te) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2008)
On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)
Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)
Interaction of hydrogen with lattice defects in ZnSe(X) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Luminescence of Dipole-centers in ZnSe crystals
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
за авторством: Katrunov, K.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Katrunov, K.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Studies of photoactive states of isovalently doped ZnSe crystals by the method of scanning photodielectric spectroscopy
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of ZnSe:Te substrate's surface morphology on their optical properties
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Microhardness and brittle strength of ZnSe₍₁₋ₓ₎Teₓ crystals grown from melt
за авторством: Rybalka, I.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rybalka, I.A., та інші
Опубліковано: (2006)
Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)
Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)
Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)
Effect of oxygen on some reactions of ZnSe crystal surface interaction with H₂O vapors, CO₂, and CO
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2012)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
IR luminescence of ZnSe-based scintillators
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Obtaining of ZnSe nanocrystals from ZnSe bulk crystals by mechanical milling and chemical vapor deposition in silica matrices
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)
Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)
High temperature luminescence of ZnSe:Yb crystals
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)
Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Structure and electrical resistance of the passivating ZnSe layer on Ge
за авторством: Maslov, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Maslov, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
1D- and 2D-matrices scintillation elements on the crystals base ZnSe(Te), CdWO₄, CsI(Tl), Bi₃Ge₄O₁₂
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Optical absorption and photoconductivity of ZnSe:Co single crystals
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Integrated detectors of ionizing radiation based on ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe structures
за авторством: Starzhinskiy, N.G., та інші
Опубліковано: (2008) -
Interaction of nuclear radiations with scintillation crystals ZnSe(O, Te)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006) -
Sensitivity studies of beta-radiation detector based on small-crystalline scintillator ZnSe(Te)
за авторством: Gavrylyuk, V., та інші
Опубліковано: (2001) -
Effect of heat treatment in Zn vapor on spectral kinetic, optical and mechanical properties of ZnSe(O,Te) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2010) -
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2008)