Rapidly grown KDP crystals
Results of the study of optical characteristics, real structure and laser damage threshold of KDP crystals rapidly grown in the direction of a prespecified angle of synchronism (θ = 59°) are described in the present paper. A comparative analysis of KDP characteristics for crystals grown by conventio...
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| 1. Verfasser: | Salo, V.I. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121084 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Rapidly grown KDP crystals / V.I. Salo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 200-202. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Institution
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