Microstructure of the relaxed (001) Si surface
MD computer simulation with the Stillinger-Weber potential have been performed to study a microstructure of silicon surface layers and relaxation processes induced by low energy ion beams. New peculiarities of relaxed (001) silicon surface were discovered by using the improved calculation scheme for...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | Kiv, A.E., Soloviev, V.N., Maximova, T.I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121091 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Microstructure of the relaxed (001) Si surface / A.E. Kiv, V.N. Soloviev, T.I. Maximova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 157-160. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003)
Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)
Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)
Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 Ч 8) nanostructured surface
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. Goriachko, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)
Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Pyziak, L., та інші
Опубліковано: (2003)
Intrinsic nanostructures on the (001) surface of strontium titanate at low temperatures
за авторством: V. O. Hamalii, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. O. Hamalii, та інші
Опубліковано: (2020)
Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)
Surface microstructure of thermoexfoliated graphite
за авторством: Matzui, L., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Matzui, L., та інші
Опубліковано: (2005)
Formation and thermal stability of NiSi phase in Ni (30 nm)/Pt (2 nm; 6 nm)/Siep. (50 nm)/Si (001) thin film systems
за авторством: Makogon, Iu.N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Makogon, Iu.N., та інші
Опубліковано: (2013)
Microstructure of thin Si−Sn composite films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
Shear-induced metallization on (001) and (111) surfaces of diamond during hardness tests
за авторством: S. M. Dub, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. M. Dub, та інші
Опубліковано: (2021)
Low temperature structural transformations on the (001) surface of SrTiO3 single crystals
за авторством: N. V. Krainyukova, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: N. V. Krainyukova, та інші
Опубліковано: (2020)
Quantum chemical calculations on adsorption of o2 molecules on the anatase (001) surface
за авторством: O. V. Smirnova, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. V. Smirnova, та інші
Опубліковано: (2016)
Microstructure of thin Si−Sn composite films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)
Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (1999)
Relaxation tunings of monatomic layers on the surface
за авторством: A. S. Dolgov, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: A. S. Dolgov, та інші
Опубліковано: (2009)
The surface relaxivity for coals of Donets basin
за авторством: T. A. Vasilenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: T. A. Vasilenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Temperature dependences of surface magnetoelastic constants of ultrathin Fe/GaAs (001) films
за авторством: Żuberek, R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Żuberek, R., та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Структура і властивості первинних поверхневих утворень германію на грані Si(001): квантовохімічні дослідження
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2014)
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)
Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)
Generalized relaxed elastic line on an oriented surface
за авторством: Özkan, G., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Özkan, G., та інші
Опубліковано: (2012)
Generalized relaxed elastic line on an oriented surface
за авторством: Özkan, G., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Özkan, G., та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetic and Relaxation Phenomena in Film Si—TiN—Fe Heterostructures with Carbon Nanotubes
за авторством: E. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Microstructure and Mechanical Properties of Hypereutectic Al—Si Alloy after Severe Plastic Deformation
за авторством: V. Z. Spuskanjuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. Z. Spuskanjuk, та інші
Опубліковано: (2014)
The structural-phase composition in CoSb1,82-5,45 (30 nm)-SiO2 (100 nm)-Si (001) nanoscaled film compositions after deposition and annealings
за авторством: Ju. N. Makogon, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ju. N. Makogon, та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2003) -
Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015) -
Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015) -
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)