Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
Using local empirical pseudopotential with spin-orbit interaction taking into account the electron band structure of InSb₁₋xBix in virtual crystal approximation is calculated. For binary compounds InSb and InBi characteristic gaps between energy bands in high symmetry points of Brillouin zone satisf...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | Vyklyuk, J.I., Deibuk, V.G., Rarenko, I.M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121107 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions / J.I. Vyklyuk, V.G. Deibuk, I.M. Rarenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 174-177. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Density and surface tension of Sn1–xBix melts
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020)
Density and surface tension of Sn1–xBix melts
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Thermoelectric figure of merit of single crystals p-(BixSb1-x)2-ySnyTe3 in wide temperature range
за авторством: V. A. Kulbachinskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Kulbachinskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Magnetic phase transitions in the system La₁₋xBixMnO₃₊λ
за авторством: Troyanchuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Troyanchuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
за авторством: Омельчук, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Омельчук, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2018)
1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current
за авторством: Moradi, M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Moradi, M., та інші
Опубліковано: (2010)
Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Density and surface tension of Sn1–xBix melts
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Density and surface tension of Sn1–xBix melts
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006) -
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017) -
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)