Borophosphosilicate glass component analysis using secondary neutral mass spectrometry
In the present study the SNMS technique for the quantitative component analysis of the borophosphosilicate glass layers was used. These layers were deposited on the silicon substrate by chemical vapor deposition method. The charge-up of the surface is compensated by plasma gas electrons in the high...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121124 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Borophosphosilicate glass component analysis using secondary neutral mass spectrometry / O. Oberemok, P. Lytvyn // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 101-105. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!