Зображення обкладинки

On origin of rapid portion of luminance-voltage dependence of ZnS:Mn TFEL devices and its aging behavior

Some peculiarities in the rapid portion of the voltage dependences of luminance and transferred charge as well as in its aging behavior in ZnS:Mn thin film electroluminescent devices made by different deposition techniques have been revealed. The devices with nearly the same Mn concentration (~1 at....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2002
Автори: Vlasenko, N.A., Denisova, Z.L., Kononets, Ya.F., Veligura, L.I., Chumachkova, M.M., Tsyrkunov, Yu.A., Soininen, E.L., Tornqvist, R.O., Vasame, K.M.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121128
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:On origin of rapid portion of luminance-voltage dependence of ZnS:Mn TFEL devices and its aging behavior / N.A. Vlasenko, Z.L. Denisova, Ya.F. Kononets, L.I. Veligura, M.M. Chumachkova, Yu.A. Tsyrkunov, E.L. Soininen, R.O. Tornqvist, K.M. Vasame // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 58-62. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси