Voznyy, M., Gorley, P., & Schenderovskyy, V. (2000). Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Voznyy, M.V, P.M Gorley, und V.A Schenderovskyy. "Diffusion Model of Defect Formation in Silicon Under Light Ion Implantation." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2000.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Voznyy, M.V, et al. "Diffusion Model of Defect Formation in Silicon Under Light Ion Implantation." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000.
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