Зображення обкладинки

Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation

In the given paper the model of defect formation in silicon under light ion implantation is proposed which describes the whole complex of available experimental results qualitatively, and in a number of cases rather well quantitatively. In contrast to the models existing by now, it takes into accoun...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2000
Автори:	Voznyy, M.V., Gorley, P.M., Schenderovskyy, V.A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121130
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation / M.V. Voznyy, P.M. Gorley, V.A. Schenderovskyy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 271-274. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Erratum: Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)

The influence of ion implantation by phosphorous on structural changes in porous silicon
за авторством: Swiatek, Z., та інші
Опубліковано: (2004)

Self-organization in semiconductors with drift instability under influence of modulated light. II. Light response to external field variations
за авторством: Chupyra, S.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Defect structure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature - pressure
за авторством: Wierzchowski, W., та інші
Опубліковано: (2005)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation
за авторством: Ya. M. Olikh
Опубліковано: (2013)

Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Dispersion (Phase) Nature of Structural Sensitivity and Informativity of Triple-Crystal Diffractometry of Defects and Strains within the Ion-Implanted Films
за авторством: O. S. Skakunova, та інші
Опубліковано: (2015)

Dynamical Diffractometry of Defects and Strains in Gd3Ga5O12 Garnet Crystals After Implantation with F+ Ions
за авторством: O. S. Skakunova, та інші
Опубліковано: (2013)

Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon
за авторством: Romanjuk, B., та інші
Опубліковано: (2000)

Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2006)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Ion sources optimization for high energy ion implantation by computer simulation
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Spectroscopy and micro-luminescence mapping of Xe-implanted defects in diamond
за авторством: Deshko, Y., та інші
Опубліковано: (2010)

Composite materials formation for orthopaedic implants
за авторством: Avilov, A.M., та інші
Опубліковано: (2004)

Progress in riboon ion beam implantation systems development
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of nanocrystals and their properties during tin-induced and laser light-stimulated crystallization of amorphous silicon
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2019)

Formation of blisters in thin metal films on lithium niobate implanted by keV Ar⁺ ions
за авторством: Lysiuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of blisters in thin metal films on lithium niobate implanted by keV Ar+ ions
за авторством: V. O. Lysiuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Ion beam technologies of surface modification. I. Ion cleaning and high dose implantation
за авторством: V. A. Belous, та інші
Опубліковано: (2003)

Ellipsometric study of ion implanted copper surface and its room temperature oxidation
за авторством: Poperenko, L.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures
за авторством: Lyashenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Acoustic-emission method of control of defects-formation process in light-emitting structures
за авторством: O. V. Lyashenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Formation of structural heterogeneity of the near-surface layer of films of iron-yttrium granatos by implantation of Si+ ions
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Quantum-Mechanical Model of Interconsistent Amplitude and Dispersion Influences of Structure Imperfections on the Multiple Scattering Pattern for Mapping and Characterization of Strains and Defects in Ion-Implanted Garnet Films
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2015)

Generation of the Al(111) Surface Defects under Influence of Low-Energy Ar+ Ions
за авторством: M. O. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2014)

Quantum-Mechanical Model of Interconsistent Amplitude and Dispersion Influences of Structure Imperfections on the Multiple Scattering Pattern for Mapping and Characterization of Strains and Defects in Ion-Implanted Garnet Films
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2015)

Silicon based materials for spintronics prepared by implantation and temperature - (pressure) treatment
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)