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Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys

The results of the investigations of transport properties of n- and p-Hg₁₋xCdxTe semiconductor crystals exposed to intensive ultrasound (≈ 6MHz) are represented. Acousto-stimulated phenomena of concentration change (increase in n-type and decrease in p-type) are observed in the region of impurity co...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2000
Hauptverfasser: Olikh, Y.M., Savkina, R.K., Vlasenko, O.I.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121132
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys / Y.M. Olikh, R.K. Savkina, O.I. Vlasenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 304-307. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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