Зображення обкладинки

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon

We have performed theoretical simulation of the photoconversion efficiency in silicon solar cells for AM0 conditions with regard to excitonic effects. Along with known effects, we have taken into account both radiative and nonradiative exciton annihilation. They manifest themselves as square-law rec...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2000
Автори:	Gorban, A.P., Sachenko, A.V., Kostylyov, V.P., Prima, N.A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121135
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon / A.P. Gorban, A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, N.A. Prima // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 322-329. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of emitter proprties on the conversion efficiency of silicon solar cells
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (1999)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Modeling of photo-conversion efficiency for hydrogenated amorphous Si p-i-n structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)

A Note on the Recursive Sequence $x_{n + 1} = p_kx_n + p_{k − 1}x_{n − 1} +...+ p_1x_{n − k + 1}$
за авторством: Stevic, S., та інші
Опубліковано: (2003)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Magnetic susceptibility of n- and p-Si single crystals containing thermodonors
за авторством: Babich, V.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Magnetic susceptibility of n- and p-Si single crystals containing thermodonors
за авторством: V. M. Babich, та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Pеакції N-алкілгідразонів аліфатичних кетонів
за авторством: Kurpil’, B. B., та інші
Опубліковано: (2014)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

On properties of n-totally projective Abelian p-groups
за авторством: Danchev, P., та інші
Опубліковано: (2012)

On strongly almost m-ω1-pω+n-projective abelian p-groups
за авторством: P. Danchev
Опубліковано: (2015)