Зображення обкладинки

Photoinduced structural changes in As₁₀₀₋xSx layers

The present paper is concerned with investigations of photoinduced structural changes in As100-xSx layers. Optical constants of variously treated (virgin, exposed, annealed) samples were determined from optical transmission measurements in the spectral region 400-2500 nm. The energy dependence of re...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2000
Автори:	Stronski, A., Vlcek, M., Sklenar, A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121137
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Photoinduced structural changes in As₁₀₀₋xSx layers / A. Stronski, M. Vlcek, A. Sklenar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 394-399. — Бібліогр.: 29 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)

Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

On biaxiality of photoinduced structures in azopolymer films
за авторством: Kiselev, A., та інші
Опубліковано: (2001)

Image formation properties of As₄₀S₂₀Se₄₀ thin layers in application for gratings fabrication
за авторством: Stronski, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
за авторством: Trubaieva, O.G., та інші
Опубліковано: (2018)

On the nature of photoinduced absorption in photochromic (AgCl)ₓ(CuCl)₁₋ₓ films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Optical investigations of thermostimulated changes in an ensemble of CdSxSe₁₋x quantum dots embedded into borosilicate glass matrix
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2001)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2010)

Fourier Raman spectroscopy studies of the As₄₀S₆₀-xSex glasses
за авторством: Stronski, A.V., та інші
Опубліковано: (2001)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Photoinduced changes in optical properties of thin film Ag-PbI₂ bilayer systems
за авторством: Mussil, V.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры
за авторством: Сапаев, И.Б.
Опубліковано: (2013)

The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
за авторством: Kovalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Photoinduced etching of thin films of chalcogenide glasses
за авторством: V. A. Danko, та інші
Опубліковано: (2012)

Dynamics of photoinduced instability in ferroelectric photorefractive crystals
за авторством: Morozovska, A.N., та інші
Опубліковано: (2001)

Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
за авторством: Galkin, S.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Nucleation during photoinduced spin-reorientation transition
за авторством: Kovalenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)

Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films
за авторством: Stronski, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)

Photo-thermoinduced changes of transmission spectra of As₄₀-xSbxS₆₀ amorphous layers
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Study of non-reversible photostructural transformations in As₄₀S₆₀-xSex layers applied for fabrication of holographic protective elements
за авторством: Stronski, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Triggering of 178Hfm2 by photoinduced electron transition
за авторством: Ya. Dzyublik
Опубліковано: (2013)

Photoinduced magnetic linear dichroism in a YIG:Co film
за авторством: Miloslavska, O.V., та інші
Опубліковано: (2002)