Melt instabilities on semiconductor surfaces induced by laser radiation
Laser modifications of semiconductors are often realized by pulsed rapid melting and subsequent resolidification. Recently melt instabilities have been discovered in locally melted semiconductor surfaces. We determined that spontaneous segregation of uniform temperature stage of crystal lattice and...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121141 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Melt instabilities on semiconductor surfaces induced by laser radiation / A.Yu. Bonchik, B.J. Dacko, V.I. Demchuk, S.G. Kiyak, I.P. Palyvoda, A.F. Shnyr // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 311-315. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |