Lysenko, V., Tyagulski, I., Gomeniuk, Y., & Osiyuk, I. (2000). Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Lysenko, V.S, I.P Tyagulski, Y.V Gomeniuk, та I.N Osiyuk. Effect of the Charge State of Traps on the Transport Current in the SiC/Si Heterostructure. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Lysenko, V.S, et al. Effect of the Charge State of Traps on the Transport Current in the SiC/Si Heterostructure. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.