Agueev, O., Svetlichny, A., & Soloviev, S. (2000). Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Agueev, O.A, A.M Svetlichny, та S.I Soloviev. "Simulation of Incoherent Radiation Absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at Rapid Thermal Processing." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2000.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Agueev, O.A, et al. "Simulation of Incoherent Radiation Absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at Rapid Thermal Processing." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.