Зображення обкладинки

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals

We used X-ray diffraction method of total rocking curves and nondestructive direct observation techniques (atomic force and scanning electron microscopies) to quantitatively determine the defect characteristics (radii and concentrations) for the main types of defects in Czochralski-grown silicon sin...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2000
Автори:	Prokopenko, I.V., Kislovskii, E.N., Olikhovskii, S.I., Tkach, V.M., Lytvyn, P.M., Vladimirova, T.P.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121174
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals / I.V. Prokopenko, E.N. Kislovskii, S.I. Olikhovskii, V.M. Tkach, P.M. Lytvyn, T.P. Vladimirova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 275-281. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)

Structure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphere
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2011)

The influence of thermal conditions on perfection in GaₓIn₁-ₓSb single crystals
за авторством: Kushnarev, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2010)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

X-ray dynamical diffractometry of defect structure of garnet single crystals
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2011)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Study of structure perfection of KDP single crystals using the X-ray dynamic diffraction effects
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Growth of structurally perfect diamond single crystals at high pressures and temperatures. Review
за авторством: V. V. Lysakovskij, та інші
Опубліковано: (2018)

Transformations of microdefect structure in silicon crystals under the influence of weak magnetic field
за авторством: T. P. Vladimirova, та інші
Опубліковано: (2011)

Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2010)

Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Dynamical Theory of Triple-Crystal X-ray Diffractometry and Characterization of Microdefects and Strains in Imperfect Single Crystals
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)

Dynamical diffractometry of Structural defects in Nd3Ga5O12 garnet single crystal
за авторством: T. P. Vladimirova, та інші
Опубліковано: (2011)

Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Cluster formations of conducting quantum structures in single-crystal silicon for solar energy
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2009)

Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)

Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Gamma-ray-induced decrease of L-defect concentration in KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2011)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of thallium impurity on the growth kinetics and perfection of KDP crystals
за авторством: Voronov, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe:Cl under the influence of microwaves
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2017)

Zero Action on Perfect Crystals for Uq(G₂⁽¹⁾)
за авторством: Misra, K.C., та інші
Опубліковано: (2010)

Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2003)

Structure perfection of large-size KDP crystals grown by various techniques
за авторством: Puzikov, V.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Defect-and-impurity state of type Ib diamond single crystals of the cubic habit
за авторством: E. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2016)

Luminescence and radiation-induced defects in Li₂B₄O₇:Eu single crystals
за авторством: Dubovik, M.F., та інші
Опубліковано: (2000)

Technological conditions effect on structural perfection of Cd₁₋ₓMnₓTe crystals
за авторством: Shafranyuk, V., та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of defect structure in ultrasonic wave field and acoustic emission in LiF single crystals
за авторством: Kravtsov, M.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)