Normuradov, M., Umirzakov, B., Tashmukhamedova, D., & Tashatov, A. (2002). Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago Style (17th ed.) CitationNormuradov, M.T, B.E Umirzakov, D.A Tashmukhamedova, and A.K Tashatov. Influence of Ion Implantation and Annealing on Composition and Structure of GaAs Surface. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.
MLA (8th ed.) CitationNormuradov, M.T, et al. Influence of Ion Implantation and Annealing on Composition and Structure of GaAs Surface. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2002.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.