Buchumschlag

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC

Heavily doped by nitrogen single crystals of 6H-SiC were completely transformed into 3C-SiC ones by annealing in vacuum at presence of Si vapor for 1 hour at 2180 K or 4 hours at 2080 K. Mechanism of solid-to-solid transformation have been studied. Calculated nitrogen concentration from the Hall eff...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2002
1. Verfasser:	Vlaskina, S.I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121188
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Mechanism of 6H-3C transformation in SiC / S.I. Vlaskina // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 152-155. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2011)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing
von: Agueev, O.A., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
von: Lee, S.W., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
von: S. W. Lee, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
von: O. V. Melnychuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
von: O. V. Melnichuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: Gasparov, V.A.
Veröffentlicht: (2011)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: V. A. Gasparov
Veröffentlicht: (2011)

Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters
von: Avdeev, S.P., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Surface polaritons in 6H-SiC single crystals placed in a strong uniform magnetic field
von: Ye. F. Venher, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Study of postimplantation annealing of SiC
von: Avramenko, S.F., et al.
Veröffentlicht: (2001)

The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
von: T. B. Serbeniuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
von: Ju. S. Borisov, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
von: Abdizhaliev, S.K., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Atomic and electronic structure of a-SiC
von: Ivashchenko, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Biomorphic SiC from peas and beans
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Biomorphic SiC from peas and beans
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
von: Сербенюк, Т.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
von: Y. O. Suchikova, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Simple method for SiC nanowires fabrication
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Simple method for SiC nanowires fabrication
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Partial quasibinary eutectic in the system B4C−SiC
von: D. A. Zakarjan
Veröffentlicht: (2015)

Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
von: Закарян, Д.А.
Veröffentlicht: (2015)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
von: Kozlovskyi, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes
von: A. Latreche
Veröffentlicht: (2019)

Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
von: Latreche, A.
Veröffentlicht: (2019)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2015)