Buchumschlag

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures

The work deals with study and optimization of the technological parameters of ohmic contacts for HEMTs. It is shown that the depth of fusion front penetration into semiconductor is the main factor that determines ohmic properties of contact junctions.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2002
Hauptverfasser:	Konakova, R.V., Milenin, V.V., Stovpovoi, M.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121191
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures / R.V. Konakova, V.V. Milenin, M.A. Stovpovoi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 180-182. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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