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Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures

Cascade heterostructure of nGa₂O₃-pGaSe-pInSe was created, and a corresponding band energy diagram was built. Electrical and photoelectric properties of this structure were investigated. Due to isotype pGaSe-pInSe heterojunction the photosensitivity spectrum of nGa₂O₃-pGaSe-pInSe heterostructure ext...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2002
Hauptverfasser: Savchyn, V.P., Stakhira, J.M., Fiyala, Ya.M., Furtak, V.B.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121192
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Photoelectric properties of ₂O₃-pGaSe-pInSe cascade heterostructures / V.P. Savchyn, J.M. Stakhira, Ya.M. Fiyala, V.B. Furtak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 176-179. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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