The features of magnetoresistance of n-Si doped with phosphorus from the melt and by nuclear transmutation
The magnetic field dependencies Dr^/r0 = f(H) were investigated for phosphorus-doped n-Si crystals at a temperature of 77.4 K in classical strong magnetic fields up to 200 kOe. We revealed and discuss some distinctions in the field dependencies of magnetoresistance for crystals doped from melt and t...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | Baranskii, P.I., Babich, V.M., Venger, E.F., Dotsenko, Yu.P. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121218 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The features of magnetoresistance of n-Si doped with phosphorus from the melt and by nuclear transmutation / P.I. Baranskii, V.M. Babich, E.F. Venger, Yu.P. Dotsenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 4. — С. 449-452. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015)
Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)
Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)
Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016)
Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Photonuclear transmutation doping of the n-type detector silicon
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2002)
Development of the physical insight into the nature of the factors that control electrophysical and other properties of semiconductors
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2001)
Beam technologies for incineration and transmutation of the nuclear waste
за авторством: Bomko, V.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Bomko, V.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Research of transmutation of products of nuclear cycle at the electron accelerator
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dikiy, N.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
First principles calculation of lithium-phosphorus co-doped diamond
за авторством: Shao, Q.Y., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Shao, Q.Y., та інші
Опубліковано: (2013)
The difficult doped zirconium alloys melting to nuclear power in the cathode-ray unit
за авторством: A. V. Rjabinin
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Rjabinin
Опубліковано: (2014)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
Optimization of use conditions for cathodic arc nickel coating doped with phosphorus
за авторством: Lapitskaya, V.A., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Lapitskaya, V.A., та інші
Опубліковано: (2021)
The development of neutron-physical model for two-zone research suhcritical reactor for nuclear waste transmutation
за авторством: V. I. Gulik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. I. Gulik, та інші
Опубліковано: (2019)
Investigation of geometry and fuel composition in two-zone subcritical research reactor for nuclear waste transmutation
за авторством: Sheliahovskyi, D.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sheliahovskyi, D.O., та інші
Опубліковано: (2018)
Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)
New features of magnetoresistance in the strongly anisotropic layered metals
за авторством: P. D. Grigoriev
Опубліковано: (2011)
за авторством: P. D. Grigoriev
Опубліковано: (2011)
New features of magnetoresistance in the strongly anisotropic layered metals
за авторством: Grigoriev, P.D.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Grigoriev, P.D.
Опубліковано: (2011)
Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)
On the transmutation of the Lions operator to the simplest form
за авторством: Yu. S. Linchuk
Опубліковано: (2017)
за авторством: Yu. S. Linchuk
Опубліковано: (2017)
Biological activity of phosphorus and non-phosphorus alkyl glycerolipids
за авторством: S. G. Romanova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: S. G. Romanova, та інші
Опубліковано: (2009)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)
Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Studies of thermonuclear neutron usage means for radioactive waste transmutation
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Theory of multidimensional Delsarte–Lions transmutation operators. II
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Theory of multidimensional Delsarte – Lions transmutation operators. I
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. M. Samoilenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Transmutation of radioactive waste on low-energy proton accelerators
за авторством: Migalenya, V.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Migalenya, V.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Theory
of multidimensional Delsarte – Lions transmutation operators. II
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2019)
Theory
of multidimensional Delsarte – Lions transmutation operators. I
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Blackmore, D., та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of phosphorus behaviour in BOF using the software package "DesigningMelt"
за авторством: R. V. Sinjakov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: R. V. Sinjakov, та інші
Опубліковано: (2016)
Physical ground for radioactive waste transmutation facility using thermonuclear neutrons
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Rudychev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si0. 97Ge0. 03 whiskers
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Hall and magnetoresistance factors in Bi0.88Sb0.12 single crystal doped with Te
за авторством: Kh. A. Gasanova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kh. A. Gasanova, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum magnetoresistance in Si <B, Ni> whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)
On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Anomalous magnetic and dynamic behavior in magnetoresistive compounds: origin of bulk colossal magnetoresistivity
за авторством: Chechersky, V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Chechersky, V., та інші
Опубліковано: (2002)
Схожі ресурси
-
Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2015) -
Some thermoelectric features of conventional and transmutation doped silicon crystals
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012) -
Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003) -
Effect of thermal treatment on drag Seebeck coefficient anisotropy parameter of transmutation-doped silicon crystal
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2016) -
Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)