Зображення обкладинки

Modeling the process of removal aimed at cut traces on semiconductor wafers by using the method of contactless chemical-and-dynamical polishing

Used in this work is the stationary model of the process of chemical-anddynamical polishing (CDP) the substrates in the case of balance between diffusion, convective and chemical fluxes. Obtained has been an analytical expression relating the surface shape in processed material with physical paramet...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2015
ISSN:1560-8034
Автори: Pashchenko, G.A., Kravetskyi, M.Yu., Fomin, A.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121227
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Modeling the process of removal aimed at cut traces on semiconductor wafers by using the method of contactless chemical-and-dynamical polishing / G.A. Pashchenko, M.Yu. Kravetskyi, A.V. Fomin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 330-333. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси