Зображення обкладинки

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films

Structural and thermodynamic properties of IV-IV solid solutions were calculated by molecular dynamics simulation. Biaxial strains are extremely important for the miscibility behavior of alloy films. It was shown the existence of critical thickness for the GexSi₁-x, Ge₁-xSnx, Si₁-xSnx, Si₁-xCx thin...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2002
Автори:	Deibuk, V.G., Korolyuk, Yu.G.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121241
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films / V.G. Deibuk, Yu.G. Korolyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 247-253. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Microstructure of thin Si−Sn composite films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)

Microstructure of thin Si−Sn composite films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)

Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: Amer, H.H., та інші
Опубліковано: (2011)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: H. H. Amer, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Anti-reflection coatings based on SnO₂, SiO₂, Si₃N₄ films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
за авторством: Dobrovolskiy, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2011)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

The role of tin in the formation of micro- and nano-structured surfaces of layered Si–Sn–Si films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2023)

The role of tin in the formation of micro- and nano-structured surfaces of layered Si–Sn–Si films
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2023)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)

Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Optical properties of Ge-As-S thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
за авторством: Дарсавелидзе, Г.Ш., та інші
Опубліковано: (2013)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Optical absorption of Bi₁₂SiO₂₀:Sn crystals
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD
за авторством: I. K. Kovalchuk, та інші
Опубліковано: (2007)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)

Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
за авторством: Зінченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)