Зображення обкладинки

Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence

CdSe/ZnSe structures with a quantum dot extrinsic photoluminescence band related to the defects that contain vacancies in cation sublattice has been investigated. It is shown that such defects can be localized in different parts of heterostructure (inside ZnSe barrier and cap layers, Zn₁-xCdxSe wett...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2002
Автори: Valakh, M.Ya., Sadofyev, Yu.G., Korsunska, N.O., Semenova, G.N., Strelchuk, V.V., Borkovska, L.V., Vuychik, M.V., Sharibaev, M.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121242
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence / M.Ya. Valakh, Yu.G. Sadofyev, N.O. Korsunska, G.N. Semenova, V.V. Strelchuk, L.V. Borkovska, M.V. Vuychik, M. Sharibaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 254-257. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси