Seitmuratov, M., Klad'ko, V., Gudymenko, O., Datsenko, L., & Prokopenko, I. (2002). Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Seitmuratov, M.S, V.P Klad'ko, O.I Gudymenko, L.I Datsenko, und I.V Prokopenko. "Effect of Neutron Irradiation and Doping Level on Defect Structure Formation in Gallium Arsenide Crystals." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2002.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Seitmuratov, M.S, et al. "Effect of Neutron Irradiation and Doping Level on Defect Structure Formation in Gallium Arsenide Crystals." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002.
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