Зображення обкладинки

Theoretical and experimental study of Raman scattering in mixed (MoS₂)x(MoSe₂)₁₋x layered crystals

Raman scattering in mixed MoS₂/MoSe₂ layer type crystals was investigated in this work. The change of intensities and positions of bands for in-plane E¹₂g and outof-plane A₁g vibrations as functions of the “concentration” inherent to corresponding type layers has been studied. Estimation of interlay...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2015
Автори: Yaremko, A.M., Yukhymchuk, V.O., Romanyuk, Yu.A., Virko, S.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121246
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Theoretical and experimental study of Raman scattering in mixed (MoS₂)x(MoSe₂)₁₋x layered crystals / A.M. Yaremko, V.O. Yukhymchuk, Yu.A. Romanyuk, S.V. Virko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 354-361. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси