Aw, K., & Ibrahim, K. (2002). Characterization of MOS structure using low-k dielectric methylsilsesquioxane with evaporated and sputtered aluminium gate. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Aw, K.C, та K. Ibrahim. "Characterization of MOS Structure Using Low-k Dielectric Methylsilsesquioxane with Evaporated and Sputtered Aluminium Gate." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2002.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Aw, K.C, та K. Ibrahim. "Characterization of MOS Structure Using Low-k Dielectric Methylsilsesquioxane with Evaporated and Sputtered Aluminium Gate." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.