Buchumschlag

Characterization of MOS structure using low-k dielectric methylsilsesquioxane with evaporated and sputtered aluminium gate

The organic methylsilsesquioxane (MSQ) demonstrates low dielectric constant value (2.6) and is promising interlayer dielectric material to reduce the capacitive coupling between metal layers in semiconductor integrated circuits. However, MSQ has lower film density and therefore is more porous than t...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2002
Hauptverfasser:	Aw, K.C., Ibrahim, K.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121295
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Characterization of MOS structure using low-k dielectric methylsilsesquioxane with evaporated and sputtered aluminium gate / K.C. Aw, K. Ibrahim // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 316-318. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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