Зображення обкладинки

Characterization of MOS structure using low-k dielectric methylsilsesquioxane with evaporated and sputtered aluminium gate

The organic methylsilsesquioxane (MSQ) demonstrates low dielectric constant value (2.6) and is promising interlayer dielectric material to reduce the capacitive coupling between metal layers in semiconductor integrated circuits. However, MSQ has lower film density and therefore is more porous than t...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2002
Автори:	Aw, K.C., Ibrahim, K.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121295
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Characterization of MOS structure using low-k dielectric methylsilsesquioxane with evaporated and sputtered aluminium gate / K.C. Aw, K. Ibrahim // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 316-318. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure
за авторством: Aw, K.C., та інші
Опубліковано: (2003)

Hybrid systems for electron beam evaporation and ion sputtering
за авторством: A. I. Kuzmichev, та інші
Опубліковано: (2019)

Measurements of evaporated aluminium concentration on self-absorbed spectral lines
за авторством: Lobko, A.K., та інші
Опубліковано: (2002)

Электропроводность плёночного композита NiCoCr—MoS₂
за авторством: Федотов, А.К., та інші
Опубліковано: (2011)

Electrical conductivity of NiCoCr–MoS2 film composite
за авторством: A. K. Fedotov, та інші
Опубліковано: (2011)

Formation and Properties of MoS₂/C Composite for Lithium Current Sources
за авторством: Yablon, S., та інші
Опубліковано: (2017)

Optical and nonlinear optical characterization of nanostructured oxyhydroxide of aluminium
за авторством: Gayvoronsky, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2009)

The structure and mechanochemical properties of solid lubricant MoS2 using vibration wave treatment
за авторством: S. Bouti, та інші
Опубліковано: (2017)

Charge characteristics of the MOS structures with oxide films containing Si nanocrystals
за авторством: Begun, E.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Semi-quantitative model of the gating of KcsA ion channel. 1. Geometry and energetics of the gating
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Modified optical OR and AND gates
за авторством: Srinivasulu, Avireni
Опубліковано: (2002)

Electro-optical hybrid logic gates
за авторством: Ekkurthi Sreenivasa Rao, та інші
Опубліковано: (2007)

Comparison of optical properties of TiO₂ thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques
за авторством: Brus, V.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Assembling of MoS₂-based photosensitive organic-inorganic nanocomposites by exfoliation-restacking technique
за авторством: Golub, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Semi-quantitative model of the gating of KcsA ion channel. 2. Dynamic self-organization model of the gating
за авторством: Kharkyanen, V.N., та інші
Опубліковано: (2009)

Ferroelectric and dielectric characterization studies on relaxor- and ferroelectric-like strontium-barium niobates
за авторством: Matyjasek, K., та інші
Опубліковано: (2013)

Comparison of optical properties of TiO2 thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2011)

Universal Electro-Optical Hybrid Logic Gates
за авторством: Ekkurthi Sreenivasa Rao, та інші
Опубліковано: (2008)

Radiation damages and self-sputtering of high-radioactive dielectrics: spontaneous emission of submicronic dust particles
за авторством: Baryakhtar, V., та інші
Опубліковано: (2002)

Calculation of the parameters of evaporation of sulphuric acid solutions with low corrosion activity of phases
за авторством: V. T. Yavorskyi, та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of flux-gate magnetometers development
за авторством: B. L. Bondaruk, та інші
Опубліковано: (2014)

Characterization of Ti–B–C–N films deposited by dc magnetron sputtering of bicomponent Ti/B4C target
за авторством: A. A. Onoprienko, та інші
Опубліковано: (2015)

The KαL¹, KαL², and KαL³ X-Ray Emission of Aluminium under Electron Impact
за авторством: Al-Omari, M.A.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Fabrication and characterization of ONO and tunnel oxide for 16k FLOTOX EEPROM cell
за авторством: Hashim, U., та інші
Опубліковано: (2004)

Deuterium trapping and sputtering of tungsten coatings exposed to low-energy deuterium plasma
за авторством: Tolstolutskaya, G.D., та інші
Опубліковано: (2020)

Discharge characteristics of combined low energy ion source – magnetron sputtering system
за авторством: Zykov, A., та інші
Опубліковано: (2020)

Pecularities of filling a mold for large steel casting in a storied gating system with a direct gate
за авторством: A. V. Dudchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Theoretical and experimental study of Raman scattering in mixed (MoS₂)x(MoSe₂)₁₋x layered crystals
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2015)

Anharmonic Oscillators with Infinitely Many Real Eigenvalues and PT-Symmetry
за авторством: Shin, K.C.
Опубліковано: (2010)

Deposition and characterization of thin Si–B–C–N films by dc reactive magnetron sputtering of composed Si/B₄C target
за авторством: Onoprienko, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)

Dielectric, ferroelectric and piezoelectric properties of sputtered PZT thin films on Si substrates: influence of film thickness and orientation
за авторством: Haccart, T., та інші
Опубліковано: (2002)

Low surface electromagnetic waves at the metasurface ⁄ dissipative dielectric interface
за авторством: Galaydych, V.K., та інші
Опубліковано: (2020)

Fidelity of noisy multiple-control reversible gates
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2020)

Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: A. K. Rana, та інші
Опубліковано: (2011)

Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
за авторством: Rana, A.K., та інші
Опубліковано: (2011)

Characterization of Ti–B–C–N films deposited by dc magnetron sputtering of bicomponent Ti/B₄C target
за авторством: Onoprienko, A.A., та інші
Опубліковано: (2015)

Deposition and characterization of thin Si–B–C–N films by dc reactive magnetron sputtering of composed Si/B4C target
за авторством: A. A. Onoprienko, та інші
Опубліковано: (2019)

Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: P. Galiy, та інші
Опубліковано: (2015)

Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: Galiy, P., та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of low-energy ion bombardment during the sputtering on the crystal structure of FePt films
за авторством: Naumov, V.V., та інші
Опубліковано: (2008)