Зображення обкладинки

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors

Effect of uniaxial elastic strain (of moderate magnitude) on operation of n+- p-type diode temperature sensor made in silicon is considered theoretically. It is assumed that operating current and stress direction coincide with each other and with one of three main crystallographic directions [100],...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2002
Автори:	Borblik, V.L., Shwarts, Yu.M., Venger, E.F.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121331
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors / V.L. Borblik, Yu.M. Shwarts, E.F. Venger // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 322-327. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)

Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)

Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of nonuniform doping profile on thermometric performance of diode temperature sensors
за авторством: Sokolov, V.N., та інші
Опубліковано: (2002)

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: Aleinikov, A.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrostatics of the nanowire radial -- diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2017)

Analysis of the fundamental absorption edge of the films obtained from the C₆₀ fullerene molecular beam in vacuum and effect of internal mechanical stresses on it
за авторством: Kolyadina, E.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures
за авторством: Ya. O. Linevych, та інші
Опубліковано: (2024)

Simulation study of the digital temperature sensor operation in case of a non-standard mechanical impact of the NPP equipment
за авторством: Bikovsky, Y.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

The effect of structure on the low-temperature electrical conductivity of carbon nanocomposite temperature sensors
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2019)

Biochemical passivation of metal surfaces for sensor application: reactive annealing of polycrystalline gold films in hydrogen sulfide atmosphere
за авторством: Snopok, B. A., та інші
Опубліковано: (2000)

Analysis of the fundamental absorption edge of the films obtained from the C60 fullerene molecular beam in vacuum and effect of internal mechanical stresses on it
за авторством: Yu. Kolyadina, та інші
Опубліковано: (2015)

Electron beam application for mechanical stress relaxation and for SI-SIO₂ interface structural regulation
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: A. O. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Method of low-temperature rise of laser diode quality
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2002)

High stability temperature control of the laser diode for interferometry
за авторством: Kosyak, I. V.
Опубліковано: (2016)

Operating modes of avalanche-generator diodes of microwave range
за авторством: P. P. Maksimov
Опубліковано: (2016)

Operational characteristics of the electron accelerator based on the plasma-filled diode
за авторством: Skibenko, E.I., та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of Temperature on Energy and Frequency Characteristics of mm-Waves Heterocathode Gunn Diodes
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Operational monitoring of acoustic sensor networks
за авторством: V. A. Boltenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of Anisotropy and Deformations of Transverse Shear on Operating Efficiency of Piezoelectric Sensors and Actuators
за авторством: V. G. Karnaukhov, та інші
Опубліковано: (2018)

Glucose effect on the resistance of mammal erythrocytes to mechanical stress
за авторством: N. M. Shpakova, та інші
Опубліковано: (2015)

Simple pulse microwave waveguide calorimeter with temperature sensor LM 35
за авторством: Linnik, A.F., та інші
Опубліковано: (2023)

Development of an Optical Temperature Sensor on Liquid Crystals
за авторством: V. Y. Skosar, та інші
Опубліковано: (2023)

Temperature effects in hot pressing composite diamond - (Fe–Cu–Ni–Sn) on the structure, mechanical and operational
за авторством: V. A. Mechnik, та інші
Опубліковано: (2017)

Effective polycrystalline sensor of ultraviolet radiation
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum-size effects in semiconductor heterosystems
за авторством: Matveeva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)