Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
Expressions for line intensities in the near-band-edge luminescence spectrum of semiconductors containing both isolated and bound shallow acceptors and donors are given. Found are the conditions when isolated and bound shallow acceptors and donors make rather small or dominating contributions into t...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2002 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121341 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors / K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 353-361. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)
Donor-acceptor interaction in films of tetracene–tetracyanoquinodimethane heterostructures and composites
за авторством: M. P. Horishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. P. Horishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Donor-acceptor interaction in films of tetracene–tetracyanoquinodimethane heterostructures and composites
за авторством: M. P. Gorishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. P. Gorishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Optical properties of π-conjugated donor-acceptor systems with controlled hyperpolarizability
за авторством: Piryatinski, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Piryatinski, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2008)
Kinetic model of donor–acceptor interaction in photosynthetic reaction centres of bacteria
за авторством: T. V. Serdenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. V. Serdenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Emission characteristics of donor-acceptor pairs in ZnSe and CdS crystals
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)
Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
за авторством: Babentsov, V.N.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Babentsov, V.N.
Опубліковано: (2006)
Investigation of conformational changes in proteins using donor-acceptor pair of fluorescent probes
за авторством: I. V. Govor
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. V. Govor
Опубліковано: (2015)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)
Size Effects in Resistance and Thermopower in Magnetic Field of Bi Nanowires Alloyed with Acceptor and Donor Impurities
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2011)
Dynamics of transfer of electron excitation in a donor-acceptor system with a carbon chain and ways of its relaxation
за авторством: M. M. Sevryukova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: M. M. Sevryukova, та інші
Опубліковано: (2017)
Dynamics of transfer of electron excitation in a donor-acceptor system with a carbon chain and ways of its relaxation
за авторством: Sevryukova, M.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sevryukova, M.M., та інші
Опубліковано: (2017)
EFFECT OF SILVER NANOPARTICLES ON ENERGY TRANSFER EFFICIENCY IN DONOR-ACCEPTOR MIXTURES OF ORGANIC DYES: IMPROVEMENT OF ACTIVE MEDIA FOR LUMINISCENT TECHNOLOGIES
за авторством: Nikolaiev, S. V., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Nikolaiev, S. V., та інші
Опубліковано: (2025)
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Luminescence of nanostructures based on semiconductor nitrides
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
The influence of temperature on the width of the forbidden band of a semiconductor
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2011)
Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)
Role of shallow electronic traps formed by oxygen vacancies in formation of luminescent properties of CeO₂₋x nanocrystals
за авторством: Maksimchuk, P.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Maksimchuk, P.O., та інші
Опубліковано: (2014)
On determination of Cd₁₋ₓZnₓTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2017)
Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: A. I. Shkrebtii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. I. Shkrebtii, та інші
Опубліковано: (2018)
Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator
за авторством: Shkrebtii, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shkrebtii, A.I., та інші
Опубліковано: (2018)
New materials for luminescent scanning near-field microscopy
за авторством: Chornii, V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Chornii, V., та інші
Опубліковано: (2013)
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)
Precipitation of carbazole compounds from the gas phase: molecular solutions with organic acceptors, nanocompo-sites with nonorganic semiconductors and gold, hetero-structures
за авторством: Yu. Barabash, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Barabash, та інші
Опубліковано: (2012)
Spectral parameters of electron in a multishell semiconductor cylindrical nanotube with a donor impurity at its axis
за авторством: O. M. Makhanets, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. M. Makhanets, та інші
Опубліковано: (2014)
Spectral parameters of electron in a multishell semiconductor cylindrical nanotube with a donor impurity at its axis
за авторством: O. M. Makhanets, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. M. Makhanets, та інші
Опубліковано: (2014)
Review of a monographs
за авторством: Glinchuk, K.D.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Glinchuk, K.D.
Опубліковано: (1999)
The effect of oxygen-containing anions on luminescent properties of CsI
за авторством: Shpilinskaya, L.N., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shpilinskaya, L.N., та інші
Опубліковано: (2000)
The investigation of luminescence properties of nitride-based heterostructures, containing superlattice
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)
Surface luminescence of A2B6 semiconductor quantum dots (Review)
за авторством: D. V. Korbutiak, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: D. V. Korbutiak, та інші
Опубліковано: (2021)
Spectral-luminescent properties of derivatives of squaraine probes at interaction with the isolated rat liver cells
за авторством: T. N. Tkacheva, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: T. N. Tkacheva, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z*
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2012)
Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond
за авторством: I. V. Altukhov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. V. Altukhov, та інші
Опубліковано: (2021)