Method of low-temperature rise of laser diode quality

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2002
• Автори: Kamuz, A.M., Oleksenko, P.Ph., Kamuz, O.A., Kamuz, V.G.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121344
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Method of low-temperature rise of laser diode quality / A.M. Kamuz, P.Ph. Oleksenko, O.A. Kamuz, V.G. Kamuz // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 406-411. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

In 1987 the authors of this article discovered the effect of irreversible gigantic modification (IGM) of semiconductors. Basing on the IGM phenomenon the authors have developed technological method that enables to considerably improve performances of laser diodes after their manufacturing by increas...