Зображення обкладинки

Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses

The results of investigating different parameters (of glasses in Ge-Sb-Se system have been given. The values of structural-sensitive molar IR polarization F have been calculated and its concentrational dependence has been constructed. The polarity of chemical bonds has been estimated. It has been sh...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2002
Автори:	Malesh, V.I., Rubish, V.V., Shpak, I.I., Rubish, V.M., Puha, P.P.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121346
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses / V.I. Malesh, V.V. Rubish, I.I. Shpak, V.M. Rubish, P.P. Puha // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 385-390. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Raman spectroscopy and X-ray diffraction studies of (GeS2)100-x(SbSI)x glasses and composites on their basis
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2014)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)

Optical properties of cation-substituted (Cu1 – xAgx)7GeSe5I mixed crystal
за авторством: M. M. Pop, та інші
Опубліковано: (2021)

Optical properties of cation-substituted (Cu1 – xAgx)7GeSe5I mixed crystal
за авторством: M. M. Pop, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrical conductivity studies of Composites based on (Cu1–xAgx)7GeSe5I solid solutions
за авторством: A. I. Pogodin, та інші
Опубліковано: (2020)

Electrical conductivity studies of Composites based on (Cu1–xAgx)7GeSe5I solid solutions
за авторством: A. I. Pogodin, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of cation substitution on mechanical properties of (Cu1-xAgx)7GeSe5I mixed crystals and composites on their base
за авторством: A. V. Bendak, та інші
Опубліковано: (2020)

Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
за авторством: Bozhko, V.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)

Electric and dielectric properties of glasses of Cu-Sb-S-I system
за авторством: Rubish, V.M.
Опубліковано: (2003)

Crystallization study of (As₂S₃)₁₀₀-x(SbSI)x amorphous films by the optical method
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of cation substitution on the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I mixed crystals and composites on their base
за авторством: Bendak, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)

Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: Vakiv, M., та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of valence band formation in As-Ge-Se semiconductor glasses
за авторством: M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2012)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2010)

Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)

Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)

Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)

Crystallization study of (As2S3)100-x(SbSI)x amorphous filmsby the optical method
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2012)

Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
за авторством: Indutny, I. Z., та інші
Опубліковано: (2013)

Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)

Optical investigations of thermostimulated changes in an ensemble of CdSxSe₁₋x quantum dots embedded into borosilicate glass matrix
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2001)

Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2013)

Interaction influence in systems M2Se3—Ge (M – In,Sb) on properties of thin-film coatings
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Interaction of hydrogen with lattice defects in ZnSe(X) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Role of Sb additive in the dielectric properties of f Se₉₀In₁₀ and Se₇₅In₂₅ glassy alloys
за авторством: Sharma, J., та інші
Опубліковано: (2011)

Materials for optical sensors of X-ray irradiation based on (GaxIn1 – x)2Se3 films
за авторством: M. M. Pop, та інші
Опубліковано: (2022)

Materials for optical sensors of X-ray irradiation based on (GaxIn1 – x)2Se3 films
за авторством: M. M. Pop, та інші
Опубліковано: (2022)

Oxidation resistance of hard boron-rich chalcogenides B6X and B12X (X = S, Se)
за авторством: V. L. Solozhenko
Опубліковано: (2021)

Влияние деффектной структуры на магнитные и электронные свойства Hg₁₋xCrxSe и Hg₁₋xCoxSe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1996)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)

Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)