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Modified optical OR and AND gates

This paper deals with optical OR and AND gate, using unijunction transistor (UJT), light emitting diode (LED), and photo-resistor (LDR). Effort is made to extend the development of the gates using UJT, LDR, and LED to work at 1.8 Vdc instead of 3 Vdc. The power dissipation is approximately 2 mW. The...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2002
1. Verfasser: Srinivasulu, Avireni
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2002
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121352
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Modified optical OR and AND gates / Avireni Srinivasulu // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 428-430. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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