Shutov, S., & Baganov, Y. (2006). Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Shutov, S.V, та Ye.A Baganov. Simulation of Strain Fields in GaSb/InAs Heteroepitaxial System. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Shutov, S.V, та Ye.A Baganov. Simulation of Strain Fields in GaSb/InAs Heteroepitaxial System. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2006.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.