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Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system

Mechanical strains taking place in GaSb/InAs heterosystem in the presence of misfit dislocation network are investigated. Distributions of energy of strains and deformations in the system with misfit dislocation network were found using two-dimensional simulation. The radius of the dislocation core,...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2006
Hauptverfasser: Shutov, S.V., Baganov, Ye.A.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121427
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system / S.V. Shutov, Ye.A. Baganov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 23-25. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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