Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs
In the information sciences such as computer science, telecommunications, the treatment of signal or image transmission, the field effect components play an important role. In the frame of our work, we are interested in the study of the gallium arsenide short gate field effect transistor called GaAs...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121429 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of physical and geometrical parameters on electrical properties of short gate GaAs MESFETs / S. Khemissi, N. Merabtine, M. Zaabat, C. Kenzai, Y. Saidi, S. Amourache // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
New nonlinear model to determine Cgs and Cgd capacities of GaAs MESFET
за авторством: Merabtine, N., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Merabtine, N., та інші
Опубліковано: (2003)
Active inductances controlled in GaAs MESFET technology
за авторством: Benbouza, M.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Benbouza, M.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004)
An improved contribution to optimize Si and GaAs solar cell performances
за авторством: Merabtine, N., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Merabtine, N., та інші
Опубліковано: (2004)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Optimization of geometrical parameters of electric motor with permanent magnets
за авторством: I. P. Stadnik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Stadnik, та інші
Опубліковано: (2015)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)