Зображення обкладинки

Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses

Iso- and anisotype heterojunction Ge/Si photodetectors were made by depositing Ge layer onto monocrystalline Si using a vacuum evaporation technique. These detectors before and after annealing were utilized to detect 1.064 µm Nd:YAG laser pulses. The study also included determination of the optimal...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2006
Автори:	Ismail, Raid A., Koshapa, Jospen, Abdulrazaq, Omar A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121433
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses / Raid A. Ismail, Jospen Koshapa, Omar A. Abdulrazaq // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 49-52. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
за авторством: Kopyshinsky, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
за авторством: A. V. Kopyshinsky, та інші
Опубліковано: (2012)

Designing bandpass filters in 8 – 14 μm range for Si and Ge substrates
за авторством: Asghar, M.H., та інші
Опубліковано: (2004)

Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Concentration dependences of the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ || and the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermopower M = α || ph/α⊥ ph IN n-Ge and n-Si
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2014)

Current-voltage characteristics of the injection photodetector based on M(In)-CdS-Si-M(In) structure
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Development and investigation of 2.39 μm-lasers for ecological monitoring
за авторством: Bondarchuk, Ya.M., та інші
Опубліковано: (2004)

Short-wave photodetectors based on fine grain-sized poly-Si films
за авторством: Agaev, F.G.
Опубліковано: (2001)

Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)

Aluminium barium phosphate glass laser emitting at λ = 1.54 µm
за авторством: Dzyubenko, M.I., та інші
Опубліковано: (2008)

The limits of thermoelectric cooling for photodetectors
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Analysis of error laser multi frequency phase measurement system determined with of noise influence heterodyne photodetector
за авторством: E. A. Zajtsev
Опубліковано: (2013)

Problems in measurement of integrated sensitivity of photodetectors
за авторством: I. V. Doktorovich, та інші
Опубліковано: (2015)

Simulation Study of n-ZnO/p-Si Heterojunction Solar Cell
за авторством: Pogrebnyak, A.D., та інші
Опубліковано: (2011)

Simulation study of n-ZnO/p-Si heterojunction solar cell
за авторством: A. D. Pogrebnyak, та інші
Опубліковано: (2011)

Photodetector device for fiber optical telecommunication systems
за авторством: N. O. Andreyeva, та інші
Опубліковано: (2019)

Photodetector device for fiber-optical telecommunication systems
за авторством: Andreyeva, N.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Thermoelastic interactions in Al-n-Si-Ni structures at pulse laser irradiation
за авторством: Vorobets, G.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Formation of Photodetector Optimal Signal in Optical Control Systems
за авторством: Ye. Ye. Antonov, та інші
Опубліковано: (2022)

Formation of Photodetector Optimal Signal in Optical Control Systems
за авторством: Антонов, Є. Є., та інші
Опубліковано: (2022)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)

Положения малых планет 246 Аспорина, 427 Галена, 850 Альтона и 1064 Этуса на 1979 год
за авторством: Головня, В.В., та інші
Опубліковано: (1988)

Production of beams of multi-charged iron ions 56Fe with energy 0.64 - 7.92 MeV for irradiation of construction materials
за авторством: V. B. Moskalenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

On the expediency of making double-pulse lasers for laser thermonuclear fusion
за авторством: Shcherbakov, V.A.
Опубліковано: (2003)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Operation of the Moskow Meson Factory linac proton injector with the pulse duration of the beam current up to 150 μs
за авторством: Belov, A.S., та інші
Опубліковано: (1999)

On weakly (μ, λ)-open functions
за авторством: Roy, B.
Опубліковано: (2014)

On Weakly (μ, λ)-Open Functions
за авторством: B. Roy
Опубліковано: (2014)

On Weakly (μ, λ)-Open Functions
за авторством: Roy, B., та інші
Опубліковано: (2014)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)