Buchumschlag

Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses

Iso- and anisotype heterojunction Ge/Si photodetectors were made by depositing Ge layer onto monocrystalline Si using a vacuum evaporation technique. These detectors before and after annealing were utilized to detect 1.064 µm Nd:YAG laser pulses. The study also included determination of the optimal...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Ismail, Raid A., Koshapa, Jospen, Abdulrazaq, Omar A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121433
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Ge/Si heterojunction photodetector for 1.064 μm laser pulses / Raid A. Ismail, Jospen Koshapa, Omar A. Abdulrazaq // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 49-52. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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