Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
We consider ohmic contacts to the n-InSb epitaxial layers grown on a semi-insulating GaAs substrate. The ohmic contacts are formed through titanium metallization with subsequent gilding. Using the structural (AFM and XRD) and analytical (AES) techniques, we showed that thermal annealings at Т = 300...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121434 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures / N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.V. Mitin, O.S. Lytvyn, L.M. Kapitanchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 58-60. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. |