Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate
Single crystals of various types of diamonds have been grown by the melt solution crystallization at high pressures and temperatures. To define the emergences of dislocations onto the {100} and {111} faces, the selective etching of the crystals in KOH and KNO₃ melt has been used. It has been defined...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | Suprun, O.M., Il'nitskaya, G.D., Kalenchuk, V.A., Zanevskii, O.A., Shevchuk, S.N., Lysakovskii, V.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121503 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Change of dislocations density in single crystals of various types diamonds depending on the growth temperature and rate / O.M. Suprun, G.D. Il'nitskaya, V.A. Kalenchuk, O.A. Zanevskii, S.N. Shevchuk, V.V. Lysakovskii // Functional Materials. — 2016. — Т. 23, № 4. — С. 552-556. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Defect-and-impurity state of type Ib diamond single crystals of the cubic habit
за авторством: E. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: E. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2016)
Growth rate of diamond-like coatings synthesized in RF discharge at various ratios of the concentrations of Ar and C₆H₆
за авторством: Kalinichenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kalinichenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2021)
Dynamic damping of dislocations with phonons in Kbr single crystals
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)
Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Justification of the wear – out rate of drilling tool by the nature of destruction of matrix of diamond – composit material
за авторством: O. P. Vynohradova, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. P. Vynohradova, та інші
Опубліковано: (2016)
Wear resistance of nano-polycrystalline diamond with various hexagonal diamond contents
за авторством: A. Kurio, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Kurio, та інші
Опубліковано: (2012)
Wear resistance of nano-polycrystalline diamond with various hexagonal diamond contents
за авторством: Kurio, A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kurio, A., та інші
Опубліковано: (2012)
Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
за авторством: Gritsyna, V.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gritsyna, V.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Dislocation distribution in ruby single crystals under loading at high temperatures
за авторством: Bosin, M.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bosin, M.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Features of the structural state of ultradispersed diamond obtained by various methods
за авторством: A. V. Kotko
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Kotko
Опубліковано: (2017)
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Morphology of diamond crystals grown in the Fe–Co–Mg system
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: T. V. Kovalenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Density functional theory study of substitutional oxygen in diamond
за авторством: Etmimi, K.M., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Etmimi, K.M., та інші
Опубліковано: (2016)
Calculation of the temperature distribution at the HPHT growing of diamond single crystals in cells with two growth layers
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Burchenia, та інші
Опубліковано: (2017)
Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)
To the question of channeling dislocation
за авторством: Krasil’nikov, V.V., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Krasil’nikov, V.V., та інші
Опубліковано: (2001)
Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Rotation of plasma layers with various densities in crossed E Ч B fields
за авторством: Yu. V. Kovtun, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yu. V. Kovtun, та інші
Опубліковано: (2013)
Rotation of plasma layers with various densities in crossed E Ч B fields
за авторством: Yu. V. Kovtun, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yu. V. Kovtun, та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)
Effect of dislocation hindering during plastic deformation on the photoluminescence of Mn2+ ions in ZnS single crystals
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: T. A. Prokofiev, та інші
Опубліковано: (2022)
The dislocation unpinning from stoppers in KBr single crystals сaused by elastic stresses and temperature
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Petchenko, О.M., та інші
Опубліковано: (2019)
Development of single walled diamond bits with shorter sectors
за авторством: A. A. Karakozov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. A. Karakozov, та інші
Опубліковано: (2016)
Study of electrical resistance single crystals of synthetic diamond
за авторством: K. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: K. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2016)
Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond
за авторством: I. V. Altukhov, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. V. Altukhov, та інші
Опубліковано: (2021)
Structure and physico-mechanical properties of CVD diamonds of various crystalline perfections in the hybridite material
за авторством: A. N. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. N. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2013)
Using digital microphotogrammetry for HPHT-diamond single crystals morphology analysis
за авторством: P. M. Lytvyn, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: P. M. Lytvyn, та інші
Опубліковано: (2021)
Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes
за авторством: Zhikol, O.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zhikol, O.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Data representativity assessment for monitoring of Ukrainian forests at various permanent plot densities
за авторством: I. F. Buksha, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. F. Buksha, та інші
Опубліковано: (2019)
Exciton density pattern formation in laser irradiated quantum wells under electrodes of various shapes
за авторством: Tomylko, V.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tomylko, V.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of metal impurities on the oxidation of various carbon forms in products of detonation diamond synthesis
за авторством: A. M. Panova, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. M. Panova, та інші
Опубліковано: (2016)
Growth of structurally perfect diamond single crystals at high pressures and temperatures. Review
за авторством: V. V. Lysakovskij, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Lysakovskij, та інші
Опубліковано: (2018)
Features of growth and condition of English oak stands of various densities in Kharkiv Forest Research Station
за авторством: O. M. Danylenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: O. M. Danylenko, та інші
Опубліковано: (2022)
Схожі ресурси
-
Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
за авторством: Safronov, R.I., та інші
Опубліковано: (2016) -
Defect-and-impurity state of type Ib diamond single crystals of the cubic habit
за авторством: E. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2016) -
Growth rate of diamond-like coatings synthesized in RF discharge at various ratios of the concentrations of Ar and C₆H₆
за авторством: Kalinichenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2021) -
Dynamic damping of dislocations with phonons in Kbr single crystals
за авторством: Petchenko, A.M., та інші
Опубліковано: (2006) -
The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)