Parphenyuk, P., & Evtukh, A. (2016). Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review). Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Parphenyuk, P.V, та A.A Evtukh. "Lowering the Density of Dislocations in Heteroepitaxial III-nitride Layers: Effect of Sapphire Substrate Treatment (review)." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2016.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Parphenyuk, P.V, та A.A Evtukh. "Lowering the Density of Dislocations in Heteroepitaxial III-nitride Layers: Effect of Sapphire Substrate Treatment (review)." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.