Parphenyuk, P., & Evtukh, A. (2016). Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review). Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Parphenyuk, P.V, und A.A Evtukh. "Lowering the Density of Dislocations in Heteroepitaxial III-nitride Layers: Effect of Sapphire Substrate Treatment (review)." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2016.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Parphenyuk, P.V, und A.A Evtukh. "Lowering the Density of Dislocations in Heteroepitaxial III-nitride Layers: Effect of Sapphire Substrate Treatment (review)." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016.
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