Зображення обкладинки

Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)

In this paper, different methods for lowering the dislocation density such as incorporation of the buffer layers, substrate patterning and nitridation, silan-ammonia treatment are reviewed and compared. Advantages and limitations of these methods as well as a specific mechanism to reduce the disloca...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2016
Автори: Parphenyuk, P.V., Evtukh, A.A.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121516
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review) / P.V. Parphenyuk, A.A. Evtukh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 1-8. — Бібліогр.: 78 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси