Baranskii, P., & Gaidar, G. (2016). Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Baranskii, P.I, та G.P Gaidar. "Features of Tensoresistance in Single Crystals of Germanium and Silicon with Different Dopants." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2016.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Baranskii, P.I, та G.P Gaidar. "Features of Tensoresistance in Single Crystals of Germanium and Silicon with Different Dopants." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.